تواجه أحدث رقائق الذاكرة عالية السعة من سامسونج للإلكترونيات، والمعروفة باسم ذاكرة النطاق الترددي العالي (HBM)، صعوبات في تلبية معايير اختبار Nvidia (NVDA) لاستخدامها في معالجات الذكاء الاصطناعي الخاصة بها. وترجع هذه التحديات إلى مشاكل تتعلق بارتفاع درجة الحرارة والاستخدام المفرط للطاقة الكهربائية، وفقًا لما أوردته وكالة رويترز يوم الجمعة، مع معلومات قدمها أفراد على دراية بالوضع.
وتؤثر هذه المشاكل على رقاقات HBM3 من سامسونج، والتي تمثل تقنية الجيل الرابع المدمجة على نطاق واسع في وحدات معالجة الرسوميات (GPUs) لمهام الذكاء الاصطناعي، وكذلك رقاقات الجيل الخامس HBM3E القادمة التي تهدف سامسونج ومنافسيها إلى إطلاقها خلال هذا العام.
وقد كشفت وكالة رويترز للمرة الأولى عن الأسباب المحددة لعدم قدرة سامسونج على الوفاء بمعايير الاختبار التي حددتها إنفيديا.
وأبلغت سامسونج وكالة الأنباء أن HBM هو منتج ذاكرة متخصص يتطلب "إجراءات ضبط دقيقة تتماشى مع المتطلبات المحددة للعملاء"، وأكدت أنها تعمل بجد على تحسين منتجاتها من خلال التعاون المباشر مع عملائها.
وفي بيان إضافي، دحضت الشركة الكورية الجنوبية الرائدة في مجال الإلكترونيات مزاعم تعطل المنتج بسبب ارتفاع درجة الحرارة والاستخدام العالي للطاقة، مشيرة إلى أن عملية الاختبار "تتقدم دون مشاكل ووفقًا للجدول الزمني المخطط له".
وقد علّق المحللون الماليون في Wells Fargo على التقرير، معربين عن وجهة نظرهم بأن هذا الوضع قد يفيد شركة Micron (MU)، وهي شركة أخرى مرموقة مصنعة لرقائق HBM.
علاوة على ذلك، يشير المحللون إلى أن هذه التقارير قد تُحيي المخاوف المتعلقة بسلسلة توريد HBM3 لشركة AMD (AMD). وقد أعلنت شركة أشباه الموصلات مؤخرًا أنها حصلت على كمية كافية من HBM3 لتجاوز هدف إيراداتها الذي يتجاوز 4 مليارات دولار في عام 2024 لوحدات معالجة الرسومات MI300A/X.
وذكر الفريق في Wells Fargo: "في وقت سابق من هذا العام، كانت هناك مؤشرات على أن وحدات معالجة الرسومات MI300 من AMD مصممة لتكون متوافقة مع HBM3E، مما يقودنا إلى افتراض إمكانية ترقية MI300 HBM3E في النصف الثاني من عام 2024 - ونتوقع أن تصبح منتجات HBM3E من Micron معتمدة".
تم إنشاء هذه المقالة وترجمتها بمساعدة الذكاء الاصطناعي وتمت مراجعتها من قبل أحد المحررين. لمزيد من التفاصيل، يُرجى الرجوع إلى الشروط والأحكام الخاصة بنا.